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ハーバート・クレーマー
1963年にいまや半導体レーザーの中心概念であるダブルのヘテロ接合のレーザーの概念を導入したことである。
クレーマー
は分子線エピタキシー法の草分けの一人であり、この技術を新しい物質に適用する実験を熱心に行っていた。 2000年、
クレーマー
とジョレス・アルフョーロフは、「高速エレクトロニクスおよび光エレクトロニク
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